IPP100N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 6+ | 3.08 EUR |
| 10+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| 500+ | 1.73 EUR |
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Technische Details IPP100N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP100N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm.
Weitere Produktangebote IPP100N08N3GXKSA1 nach Preis ab 1.02 EUR bis 10.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IPP100N08N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPP100N08N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 70A Power dissipation: 100W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPP100N08N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 70A; 100W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 70A Power dissipation: 100W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP100N08N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP100N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm |
auf Bestellung 2304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP100N08N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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