IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 22+ | 7.33 EUR |
| 25+ | 6.77 EUR |
| 50+ | 6.27 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm.
Weitere Produktangebote IPP110N20NAAKSA1 nach Preis ab 7.09 EUR bis 22.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP110N20NAAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 846 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPP110N20NAAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2321 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPP110N20NAAKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
IPP110N20NAAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
IPP110N20NAAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
IPP110N20NAAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
IPP110N20NAAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
IPP110N20NAAKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
IPP110N20NAAKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
IPP110N20NAAKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |