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IPP120N08S403AKSA1

IPP120N08S403AKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IPP_B_I120N08S4_03_DataSheet_v01_10_EN-3362453.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL 75/80V
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Technische Details IPP120N08S403AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP120N08S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP_B_I120N08S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a014763906e790512 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000112258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP120N08S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i120n08s4-03-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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