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IPP120N08S403AKSA1

IPP120N08S403AKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp_b_i120n08s4-03-datasheet-v01_10-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPP120N08S403AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP120N08S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i120n08s4-03-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
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IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 INFINEON INFN-S-A0000112258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP120N08S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 Infineon Technologies IPP_B_I120N08S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a014763906e790512 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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250+1391.48 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP120N08S403AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 358 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
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17+10.47 EUR
30+5.82 EUR
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auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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17+10.47 EUR
30+5.69 EUR
100+4.96 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+10.9 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+11.13 EUR
29+5.87 EUR
100+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+11.16 EUR
29+5.76 EUR
100+5 EUR
500+4.14 EUR
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MOSFETs N-CHANNEL 75/80V
auf Bestellung 1228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+13.14 EUR
10+7.27 EUR
100+6.66 EUR
500+5.53 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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10+9.14 EUR
50+7.24 EUR
100+6.63 EUR
500+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+1434.97 EUR
250+1391.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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