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IPP16CN10N G

IPP16CN10N G Infineon Technologies

Infineon-IPP16CN10N-DS-v01_06-en-522814.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3 OptiMOS 2
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Technische Details IPP16CN10N G Infineon Technologies

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPP16CN10NG IPP16CN10NG Hersteller : Rochester Electronics, LLC INFNS17013-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
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