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IPP16CN10NGXKSA1

IPP16CN10NGXKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IPP16CN10N_DS_v01_06_en-3164956.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3
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Technische Details IPP16CN10NGXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V.

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IPP16CN10NGXKSA1 IPP16CN10NGXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP16CN10N-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393cd8f170432 Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V
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IPP16CN10NGXKSA1 IPP16CN10NGXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp16cn10n_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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