IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.74 EUR |
| 10+ | 4.77 EUR |
| 100+ | 3.8 EUR |
| 250+ | 3.5 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| 1000+ | 2.73 EUR |
| 2500+ | 2.59 EUR |
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Technische Details IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP17N25S3100AKSA1 nach Preis ab 2.94 EUR bis 6.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IPP17N25S3100AKSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP17N25S3100AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 13.3A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 107W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T |
auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP17N25S3100AKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 6.75 EUR |
| 47+ | 4.94 EUR |
| 100+ | 3.64 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
| IPP17N25S3100AKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
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