IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 210+ | 2.33 EUR |
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Technische Details IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP17N25S3100AKSA1 nach Preis ab 2.17 EUR bis 4.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IPP17N25S3100AKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 13.3A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 107W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ T Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 68A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPP17N25S3100AKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 13.3A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 107W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ T Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 68A |
auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP17N25S3100AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3 |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP17N25S3100AKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP17N25S3100AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP17N25S3100AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
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