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IPP180N10N3GXKSA1

IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP180N10N3_G_DS_v02_02_en-1731925.pdf MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA9C0C681411C&compId=IPP180N10N3G-dte.pdf?ci_sign=701544aaf512046aa829ae971b208ce0aa5ac872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBA9C0C681411C&compId=IPP180N10N3G-dte.pdf?ci_sign=701544aaf512046aa829ae971b208ce0aa5ac872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP180N10N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON 1849755.html Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Produktcode: 150492
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