IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP180N10N3GXKSA1 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.97 EUR
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IPP180N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP180N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP180N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP180N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP180N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP180N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP180N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP180N10N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPP180N10N3GXKSA1 Produktcode: 150492
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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IPP180N10N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP180N10N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP180N10N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
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