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IPP180N10N3GXKSA1

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 367 Stücke:
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP180N10N3G-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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64+1.13 EUR
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP180N10N3_G_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 1865 Stücke:
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP180N10N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
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50+1.41 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON 1849755.html Description: INFINEON - IPP180N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1364 Stücke:
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IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp180n10n3g_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd01226066f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP180N10N3GXKSA1 Hersteller : Infineon IPP180N10N3%2BG%2BRev2.2.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IPI180N10N3GXKSA1 транзистор
Produktcode: 216665
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Потенціометр лінійний з регулювальною шкалою LA42DWQ-5K
Produktcode: 204796
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LA42DWQ-1.pdf
Потенціометр лінійний з регулювальною шкалою LA42DWQ-5K
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Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 5 kOhm
Beschreibung: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Typ: Поворотний
Abmessungen: 48x29 mm
Потужність: 2 W
Характеристика: Лінійний
auf Bestellung 137 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Потенціометр лінійний з регулювальною шкалою LA42DWQ-3K
Produktcode: 204795
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LA42DWQ-1.pdf
Потенціометр лінійний з регулювальною шкалою LA42DWQ-3K
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Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 3 kOhm
Beschreibung: Однооборотний 290°, лінійний. Регулювальна шкала. Матеріал металокераміка. Похибка: ±10%. Ступінь захисту: IP65. Гвинтові клеми. Монтаж у отвір 22мм.
Typ: Поворотний
Abmessungen: 48x29 mm
Потужність: 2 W
Характеристика: Лінійний
auf Bestellung 6 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 St.:
20 St. - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Аккумулятор 12V 7Ah Li-ion SLM7H12-L, EEMB
Produktcode: 188653
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SLM7H12-L_12V_7Ah.pdf
Аккумулятор 12V 7Ah Li-ion SLM7H12-L, EEMB
Hersteller: EEMB
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: 150x65x90 мм
Kapazität mAh: 7000 mAh
Form: паралелепіпед
Spannung, V: 11,1 V
Maximale Dauer: 7 A
Gewicht, g: 700 g
Відмінності: з контактами
auf Bestellung 2 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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