IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
auf Bestellung 5486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 10.16 EUR |
| 50+ | 5.66 EUR |
| 100+ | 5.47 EUR |
| 500+ | 4.55 EUR |
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Technische Details IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP200N25N3GXKSA1 nach Preis ab 4.86 EUR bis 16.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IPP200N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 64A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 64A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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