Technische Details IPP200N25N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP200N25N3GXKSA1 nach Preis ab 4.34 EUR bis 13.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 87500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 3363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 3365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 64A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 20mΩ |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP200N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 457 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 87500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 6.49 EUR |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 7.87 EUR |
| 50+ | 7.19 EUR |
| 100+ | 6.47 EUR |
| 500+ | 5.26 EUR |
| 1000+ | 4.9 EUR |
| 2000+ | 4.81 EUR |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 7.87 EUR |
| 50+ | 7.54 EUR |
| 100+ | 6.74 EUR |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 7.91 EUR |
| 50+ | 7.08 EUR |
| 100+ | 6.27 EUR |
| 500+ | 5.01 EUR |
| 1000+ | 4.56 EUR |
| 2000+ | 4.34 EUR |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 20mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 20mΩ
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 9.69 EUR |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.46 EUR |
| 50+ | 6.63 EUR |
| 100+ | 6.07 EUR |
| 500+ | 5.08 EUR |
| 1000+ | 4.76 EUR |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP200N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.65 EUR |
| 35+ | 6.75 EUR |
| 100+ | 6.19 EUR |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.83 EUR |
| 10+ | 9.23 EUR |
| 100+ | 7.41 EUR |
| 500+ | 6.62 EUR |
| 1000+ | 5.87 EUR |
| IPP200N25N3GXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)