IPP339N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.62 EUR |
| 50+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.02 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Mindestmenge:
4 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPP339N20NM6AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP339N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm.
Weitere Produktangebote IPP339N20NM6AKSA1 nach Preis ab 2.01 EUR bis 7.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP339N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >150 - 400V |
auf Bestellung 2299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPP339N20NM6AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP339N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IPP339N20NM6AKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.99 EUR |
| 10+ | 3 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 500+ | 2.15 EUR |
| 1000+ | 2.14 EUR |
| 2500+ | 2.09 EUR |
| 5000+ | 2.01 EUR |
| IPP339N20NM6AKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP339N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
Description: INFINEON - IPP339N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.0318 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.38 EUR |
| 63+ | 3.74 EUR |
| 100+ | 2.94 EUR |