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IPP50R199CPXKSA1

IPP50R199CPXKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IPP50R199CP_DS_v02_00_en-1227209.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3
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Technische Details IPP50R199CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP50R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CP, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IPP50R199CPXKSA1 IPP50R199CPXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP50R199CP_rev2%5B1%5D.0.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123850e86a865bc&folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060 Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
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IPP50R199CPXKSA1 IPP50R199CPXKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP50R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IPP50R199CPXKSA1 IPP50R199CPXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp50r199cp_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IPP50R199CPXKSA1 IPP50R199CPXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp50r199cp_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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