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IPP50R250CPXKSA1

IPP50R250CPXKSA1 Infineon Technologies

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Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
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Technische Details IPP50R250CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER_LEGACY, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V.

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IPP50R250CPXKSA1 IPP50R250CPXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP50R250CP_DS_v02_00_en-1731889.pdf MOSFETs N-Ch 550V 13A TO220-3
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IPP50R250CPXKSA1 IPP50R250CPXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp50r250cp_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IPP50R250CPXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238524b91c65ce IPP50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
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IPP50R250CPXKSA1
Produktcode: 185293
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IPP50R250CPXKSA1 IPP50R250CPXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp50r250cp_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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