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IPP600N25N3GXKSA1

IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp_b_i_600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp_b_i_600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ipp_b_i_600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f170124.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8A6A5609611C&compId=IPP600N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=eb7b93c1e4c9d590d6856df6ae36f640cede45f5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 25A
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IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
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IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_600N25N3_G-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3
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200+2.85 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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