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IPP60R099CPXKSA1

IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies

infineonipp60r099cpdsv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 255W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r099cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r099cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 31 Stücke:
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23+7.87 EUR
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IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R099CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3-1
auf Bestellung 118 Stücke:
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15+6.02 EUR
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IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r099cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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50+7.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r099cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 INFINEON INFNS15861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 496 Stücke:
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IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R099CP_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
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1+14.72 EUR
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IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R099CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e3e6b4987 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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50+8.07 EUR
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IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r099cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3-1
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Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+14.29 EUR
50+7.44 EUR
100+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+14.29 EUR
50+7.6 EUR
100+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPP60R099CPXKSA1 INFNS15861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R099CPXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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MOSFETs N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
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10+10.36 EUR
100+8.4 EUR
500+7.46 EUR
1000+6.62 EUR
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IPP60R099CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1450 Stücke:
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100+7.41 EUR
500+6.25 EUR
1000+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPP60R099CPXKSA1 infineonipp60r099cpdsv0202en.pdf
IPP60R099CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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