IPP60R120P7 Infineon Technologies


Infineon-IPP60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acd0f0fdf074f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: 600V, 0.12OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Technische Details IPP60R120P7 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 16A, Power dissipation: 95W, Case: PG-TO220-3, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Technology: CoolMOS™ P7, Kind of package: tube, Gate-source voltage: ±20V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPP60R120P7 IPP60R120P7 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPP60R120P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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IPP60R120P7 IPP60R120P7 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R120P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
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