IPP60R120P7 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: 600V, 0.12OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Technische Details IPP60R120P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 16A, Power dissipation: 95W, Case: PG-TO220-3, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Technology: CoolMOS™ P7, Kind of package: tube, Gate-source voltage: ±20V.
Weitere Produktangebote IPP60R120P7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPP60R120P7 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPP60R120P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 95W Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ P7 Kind of package: tube Gate-source voltage: ±20V |
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| IPP60R120P7 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
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| IPP60R120P7 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
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