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IPP60R125P6XKSA1

IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

53ds_ipx60r125p6_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R125P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.113 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 219W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R125P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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22+8.38 EUR
34+5.14 EUR
100+4.45 EUR
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100+4.28 EUR
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IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPX60R125P6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
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1+10.12 EUR
10+6.62 EUR
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500+4.14 EUR
1000+3.83 EUR
2500+3.61 EUR
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IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 INFINEON INFNS30506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R125P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.113 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 219W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
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Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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22+8.38 EUR
34+5.02 EUR
100+4.28 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
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10+6.62 EUR
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500+4.14 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R125P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.113 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 219W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
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38+6.2 EUR
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