
IPP60R160C6XKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 5.94 EUR |
29+ | 4.93 EUR |
45+ | 3.11 EUR |
50+ | 2.98 EUR |
100+ | 2.61 EUR |
250+ | 2.43 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPP60R160C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R160C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP60R160C6XKSA1 nach Preis ab 2.46 EUR bis 6.67 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R160C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP60R160C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V |
auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP60R160C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
IPP60R160C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
IPP60R160C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
IPP60R160C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
IPP60R160C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
IPP60R160C6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
IPP60R160C6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |