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IPP60R165CPXKSA1

IPP60R165CPXKSA1 Infineon Technologies

infineonipp60r165cpdsv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP60R165CPXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R165CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 192W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r165cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r165cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 46 Stücke:
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21+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 INFINEON INFNS15864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R165CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 44 Stücke:
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IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R165CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c113a4661 Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.53 EUR
50+4.94 EUR
100+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R165CP_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
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1+10.22 EUR
10+6.7 EUR
100+5.01 EUR
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1000+3.75 EUR
2500+3.67 EUR
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IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r165cpdsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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21+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPP60R165CPXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R165CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 44 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c113a4661
IPP60R165CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.53 EUR
50+4.94 EUR
100+4.5 EUR
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IPP60R165CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
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1+10.22 EUR
10+6.7 EUR
100+5.01 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.75 EUR
2500+3.67 EUR
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IPP60R165CPXKSA1 infineonipp60r165cpdsv0202en.pdf
IPP60R165CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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