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IPP60R199CPXKSA1

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Produktcode: 116583
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.89 EUR
1000+2.68 EUR
2000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.89 EUR
1000+2.74 EUR
2000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.3 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8b484897 Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.48 EUR
50+4.36 EUR
100+3.95 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R199CP_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.71 EUR
10+5.71 EUR
100+4.25 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.31 EUR
2500+3.09 EUR
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IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 INFINEON INFNS17328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.72 EUR
49+4.83 EUR
100+3.83 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R199CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.89 EUR
1000+2.68 EUR
2000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.89 EUR
1000+2.74 EUR
2000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
200+3.3 EUR
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IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1067 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
200+3.3 EUR
500+3.08 EUR
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IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8b484897
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
auf Bestellung 505 Stücke:
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50+4.36 EUR
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MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
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AnzahlPrivatkunde
1+8.71 EUR
10+5.71 EUR
100+4.25 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.31 EUR
2500+3.09 EUR
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IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.72 EUR
49+4.83 EUR
100+3.83 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.74 EUR
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IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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