Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IPP60R199CPXKSA1
IPP60R199CPXKSA1

IPP60R199CPXKSA1

IPP60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8b484897
Produktcode: 116583
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPP60R199CPXKSA1 nach Preis ab 2.23 EUR bis 6.78 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R199CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP60R199CP_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+3.15 EUR
500+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8b484897 Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 INFINEON INFNS17328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
66+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
66+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
210+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
210+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 infineonipp60r199cpdsv0203en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
54+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CP-DTE.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
15+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 Infineon_IPP60R199CP_DS_v02_03_en.pdf
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+6.14 EUR
10+3.15 EUR
500+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8b484897
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP60R199CPXKSA1 INFNS17328-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP60R199CPXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH