IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP60R199CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP60R199CPXKSA1 nach Preis ab 1.96 EUR bis 7.09 EUR
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IPP60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IPP60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IPP60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IPP60R199CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP60R199CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IPP60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP |
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IPP60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IPP60R199CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPP60R199CPXKSA1 Produktcode: 116583
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPP60R199CPXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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