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IPP60R280P6XKSA1

IPP60R280P6XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipb60r280p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014ede.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP60R280P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V.

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IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPX60R280P6_DS_v02_02_EN-1227248.pdf MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO220-3
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IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS28761-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R280P6XKSA1 - IPP60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949D1257D231BF&compId=IPP60R280P6-DTE.pdf?ci_sign=d700b95c7f2dc02c97e529cdc4386805667401cc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies DS_IPx60R280P6_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043416e106e01416e269e3e0021 Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
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IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949D1257D231BF&compId=IPP60R280P6-DTE.pdf?ci_sign=d700b95c7f2dc02c97e529cdc4386805667401cc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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