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IPP60R280P7XKSA1

IPP60R280P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp60r280p7-ds-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP60R280P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP60R280P7XKSA1 IPP60R280P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp60r280p7dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP60R280P7XKSA1 IPP60R280P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r280p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
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IPP60R280P7XKSA1 IPP60R280P7XKSA1 INFINEON 2362703.pdf Description: INFINEON - IPP60R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 53
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
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Anzahl der Pins: 3
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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