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IPP60R360P7XKSA1

IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3460 Stücke:
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109+1.62 EUR
122+1.43 EUR
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Technische Details IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 41W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm.

Weitere Produktangebote IPP60R360P7XKSA1 nach Preis ab 0.89 EUR bis 4.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.81 EUR
52+1.67 EUR
59+1.45 EUR
72+1.19 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.81 EUR
113+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 355 Stücke:
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87+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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118+1.44 EUR
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IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3463 Stücke:
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109+1.56 EUR
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Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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98+1.74 EUR
113+1.45 EUR
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auf Bestellung 435 Stücke:
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54+3.3 EUR
95+1.8 EUR
109+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 INFINEON 2362696.pdf Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
103+2.27 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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100+1.77 EUR
500+1.49 EUR
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IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp60r360p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
50+2.13 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPP60R360P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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52+1.67 EUR
59+1.45 EUR
72+1.19 EUR
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IPP60R360P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+1.81 EUR
113+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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109+1.56 EUR
122+1.34 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.89 EUR
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113+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.94 EUR
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95+1.8 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 441 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
73+3.45 EUR
103+2.27 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+4.32 EUR
10+2.12 EUR
100+1.77 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.29 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 1296 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+4.38 EUR
50+2.13 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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