IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 41W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm.
Weitere Produktangebote IPP60R360P7XKSA1 nach Preis ab 0.93 EUR bis 6.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 7940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP60R360P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm |
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IPP60R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 41W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 13nC Version: ESD Kind of package: tube |
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| IPP60R360P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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| 132+ | 1.31 EUR |
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| IPP60R360P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
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| IPP60R360P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
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| 106+ | 1.63 EUR |
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| 500+ | 1.2 EUR |
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Hersteller: Infineon Technologies
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| 69+ | 2.52 EUR |
| 105+ | 1.58 EUR |
| 118+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| IPP60R360P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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|---|---|
| 56+ | 3.11 EUR |
| 98+ | 1.7 EUR |
| 113+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| IPP60R360P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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| 54+ | 3.21 EUR |
| 95+ | 1.8 EUR |
| 109+ | 1.52 EUR |
| IPP60R360P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.24 EUR |
| 94+ | 1.77 EUR |
| 109+ | 1.48 EUR |
| IPP60R360P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.24 EUR |
| 94+ | 1.81 EUR |
| 109+ | 1.54 EUR |
| IPP60R360P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 625 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.55 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| 50+ | 2.21 EUR |
| 100+ | 1.99 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| IPP60R360P7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.3 EUR |
| 77+ | 3.02 EUR |
| 104+ | 2.06 EUR |
| IPP60R360P7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD
Kind of package: tube
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)