IPP60R520E6XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP60R520E6XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ E6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 8.1A, Power dissipation: 66W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.52Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IPP60R520E6XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IPP60R520E6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3 |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R520E6XKSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R520E6XKSA1 - IPP60R520 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP60R520E6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP60R520E6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.1A Power dissipation: 66W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP60R520E6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP60R520E6XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP60R520E6XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.1A Power dissipation: 66W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |