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IPP60R600P6XKSA1

IPP60R600P6XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipb60r600p6-datasheet-v02_03-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP60R600P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V.

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IPP60R600P6XKSA1 IPP60R600P6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r600p6-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP60R600P6XKSA1 IPP60R600P6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
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IPP60R600P6XKSA1 IPP60R600P6XKSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0001299750-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600P6XKSA1 - IPP60R600 - 600V, 0.6OHM, N-CHANEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IPP60R600P6XKSA1 IPP60R600P6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipb60r600p6-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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