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IPP65R095C7XKSA1

IPP65R095C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPP65R095C7-DTE.pdf Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO220-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 650V
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Technische Details IPP65R095C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3626ds_ipp65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3626ds_ipp65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP65R095C7-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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10+7.41 EUR
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100+4.05 EUR
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IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 3626ds_ipp65r095c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
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IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP65R095C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209e8c8600334 Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
auf Bestellung 500 Stücke:
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Anzahl Preis
2+9.7 EUR
50+5.12 EUR
100+4.67 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS28757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1753 Stücke:
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