IPP65R095C7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP65R095C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP65R095C7XKSA1 nach Preis ab 3.47 EUR bis 9.70 EUR
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IPP65R095C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R095C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R095C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V |
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IPP65R095C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPP65R095C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R095C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R095C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R095C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 128W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP65R095C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
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IPP65R095C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 128W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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