Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R110CFD7XKSA1

IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies


infineonipp65r110cfd7datasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
180+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V.

Weitere Produktangebote IPP65R110CFD7XKSA1 nach Preis ab 2.64 EUR bis 6.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp65r110cfd7datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.05 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp65r110cfd7datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.05 EUR
500+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 4710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.42 EUR
10+3.52 EUR
100+3.26 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.9 EUR
10+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1 infineonipp65r110cfd7datasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
180+3.05 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1 infineonipp65r110cfd7datasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
180+3.05 EUR
500+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 4710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+6.42 EUR
10+3.52 EUR
100+3.26 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+6.9 EUR
10+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH