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IPP65R110CFD7XKSA1

IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies infineonipp65r110cfd7datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8 Description: INFINEON - IPP65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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