IPP65R110CFDXKSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - IPP65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CF2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Technische Details IPP65R110CFDXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277.8W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CF2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPP65R110CFDXKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP65R110CFDXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP65R110CFDXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 277.8W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP65R110CFDXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V |
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IPP65R110CFDXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 277.8W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 |
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