IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 101W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.
Weitere Produktangebote IPP65R125C7XKSA1 nach Preis ab 2.64 EUR bis 11.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V |
auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP65R125C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 101W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
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IPP65R125C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 101W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 18A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 0.125Ω |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP65R125C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 7.49 EUR |
| 25+ | 7.15 EUR |
| 43+ | 4.03 EUR |
| 100+ | 3.61 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| IPP65R125C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 7.49 EUR |
| 25+ | 7 EUR |
| 43+ | 3.88 EUR |
| 100+ | 3.42 EUR |
| 500+ | 2.64 EUR |
| IPP65R125C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
auf Bestellung 888 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.54 EUR |
| 50+ | 4.31 EUR |
| 100+ | 4.08 EUR |
| 500+ | 3.26 EUR |
| IPP65R125C7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 290 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.91 EUR |
| 10+ | 7.39 EUR |
| 25+ | 4.3 EUR |
| 100+ | 3.96 EUR |
| 500+ | 3.2 EUR |
| 1000+ | 3.14 EUR |
| IPP65R125C7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.47 EUR |
| 42+ | 5.57 EUR |
| 100+ | 4.69 EUR |
| IPP65R125C7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.125Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.125Ω
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)