IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies
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| 500+ | 3.11 EUR |
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Technische Details IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPP65R125C7XKSA1 nach Preis ab 2.74 EUR bis 6.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP65R125C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R125C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R125C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R125C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V |
auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP65R125C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
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IPP65R125C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R125C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP65R125C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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IPP65R125C7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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| IPP65R125C7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors |
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