IPP80N04S4L04AKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 268+ | 1.82 EUR |
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Technische Details IPP80N04S4L04AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP80N04S4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP80N04S4L04AKSA1
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Verfügbarkeit |
Preis |
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IPP80N04S4L04AKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP80N04S4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPP80N04S4L04AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP80N04S4L04AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |