IPP80N04S4L04AKSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N04S4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPP80N04S4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPP80N04S4L04AKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N04S4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP80N04S4L04AKSA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
IPP80N04S4L04AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
IPP80N04S4L04AKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 71W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Power dissipation: 71W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
IPP80N04S4L04AKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
IPP80N04S4L04AKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 71W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Power dissipation: 71W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |