IPP80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
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| Anzahl | Preis |
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| 403+ | 1.15 EUR |
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Technische Details IPP80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP80R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPP80R1K2P7XKSA1 nach Preis ab 1.29 EUR bis 2.83 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPP80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A Power dissipation: 37W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPP80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A Power dissipation: 37W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
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IPP80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP80R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP80R1K2P7XKSA1 - IPP80R1K2 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 48280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPP80R1K2P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V |
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