IPP80R360P7XKSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 84W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.75 EUR |
| 57+ | 4.11 EUR |
| 100+ | 3.06 EUR |
| 500+ | 2.4 EUR |
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Technische Details IPP80R360P7XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 84W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm.
Weitere Produktangebote IPP80R360P7XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IPP80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPP80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPP80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP80R360P7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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| IPP80R360P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_NEW
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| IPP80R360P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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| IPP80R360P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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