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IPS60R1K0PFD7SAKMA1

IPS60R1K0PFD7SAKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPS60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2282a4c8675c Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
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Technische Details IPS60R1K0PFD7SAKMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPS60R1K0PFD7SAKMA1 Hersteller : Infineon Infineon-IPS60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2282a4c8675c Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPS60R1K0PFD7SAKMA1 IPS60R1K0PFD7S TIPS60r1k0pfd7s
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IPS60R1K0PFD7SAKMA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPS60R1K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2282a4c8675c Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R1K0PFD7SAKMA1 - IPS60R1K0PFD7S - CONSUMER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IPS60R1K0PFD7SAKMA1 IPS60R1K0PFD7SAKMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ips60r1k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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