IPS60R280PFD7SAKMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
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Technische Details IPS60R280PFD7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPS60R280PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 51W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm.
Weitere Produktangebote IPS60R280PFD7SAKMA1 nach Preis ab 1.11 EUR bis 3.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPS60R280PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPS60R280PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 5830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPS60R280PFD7SAKMA1 | Infineon |
CoolMOS MOSFET N-Channel Enhancement Mode 650V 12A IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7S TIPS60r280pfd7s Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPS60R280PFD7SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPS60R280PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 51W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPS60R280PFD7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 396+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| IPS60R280PFD7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 396+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| IPS60R280PFD7SAKMA1 |
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Hersteller: Infineon
CoolMOS MOSFET N-Channel Enhancement Mode 650V 12A IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7S TIPS60r280pfd7s
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
CoolMOS MOSFET N-Channel Enhancement Mode 650V 12A IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7S TIPS60r280pfd7s
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 3.68 EUR |
| IPS60R280PFD7SAKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPS60R280PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 51W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
Description: INFINEON - IPS60R280PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 51W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)