IPS60R600PFD7SAKMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - IPS60R600PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 31W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Technische Details IPS60R600PFD7SAKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPS60R600PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 31W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPS60R600PFD7SAKMA1 nach Preis ab 0.85 EUR bis 2.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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| IPS60R600PFD7SAKMA1 | Hersteller : Infineon |
Mosfet, N-Ch, 600V, 6A IPS60R600PFD7SAKMA1 IPS60R600PFD7S TIPS60r600pfd7s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPS60R600PFD7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| IPS60R600PFD7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP004748880 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPS60R600PFD7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPS60R600PFD7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPS60R600PFD7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V |
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