Weitere Produktangebote IPS70R900P7SAKMA1 nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPS70R900P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs N |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPS70R900P7SAKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPS70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.5W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm |
auf Bestellung 3544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPS70R900P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPS70R900P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPS70R900P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V |
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| IPS70R900P7SAKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 6A Power dissipation: 30.5W Case: TO251 On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhancement |
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