IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1320+ | 0.37 EUR |
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Technische Details IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.7W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPSA70R1K4P7SAKMA1 nach Preis ab 0.78 EUR bis 1.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IPSA70R1K4P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPSA70R1K4P7SAKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.7W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPSA70R1K4P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPSA70R1K4P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V |
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