IPSA70R750P7SAKMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPSA70R750P7SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPSA70R750P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.7W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPSA70R750P7SAKMA1 nach Preis ab 0.43 EUR bis 0.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPSA70R750P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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IPSA70R750P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
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IPSA70R750P7SAKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPSA70R750P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.7W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPSA70R750P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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IPSA70R750P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
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IPSA70R750P7SAKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
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