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IPT004N03LATMA1

IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.12 EUR
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IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
auf Bestellung 1214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.65 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.97 EUR
28+6.18 EUR
100+4.38 EUR
500+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies ipt004n03l_rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.28 EUR
27+6.25 EUR
100+4.36 EUR
500+3.62 EUR
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IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
auf Bestellung 1214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.42 EUR
50+7.06 EUR
100+5.65 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT004N03L_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 4105 Stücke:
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1+11.94 EUR
10+7.98 EUR
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IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2 Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.15 EUR
10+8.15 EUR
50+6.44 EUR
100+5.88 EUR
500+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPT004N03LATMA1 ipt004n03l_rev1.2.pdf
IPT004N03LATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IPT004N03LATMA1
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Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT004N03LATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
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IPT004N03LATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
auf Bestellung 1214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.65 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPT004N03LATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+8.97 EUR
28+6.18 EUR
100+4.38 EUR
500+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPT004N03LATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.28 EUR
27+6.25 EUR
100+4.36 EUR
500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPT004N03LATMA1 INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT004N03LATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
auf Bestellung 1214 Stücke:
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22+11.42 EUR
50+7.06 EUR
100+5.65 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPT004N03LATMA1 Infineon_IPT004N03L_DS_v02_00_EN.pdf
IPT004N03LATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 4105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.94 EUR
10+7.98 EUR
100+5.81 EUR
500+5.38 EUR
1000+5.02 EUR
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IPT004N03LATMA1 IPT004N03L_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e0f382600c2
IPT004N03LATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V
auf Bestellung 2385 Stücke:
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10+8.15 EUR
50+6.44 EUR
100+5.88 EUR
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