IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: PG-HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPT004N03LATMA1 nach Preis ab 3.37 EUR bis 9.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: PG-HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: PG-HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT004N03LATMA1 Produktcode: 161359 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tape Case: PG-HSOF-8 Gate charge: 53nC Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2kA Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.4mΩ Drain current: 300A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V |
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IPT004N03LATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tape Case: PG-HSOF-8 Gate charge: 53nC Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2kA Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.4mΩ Drain current: 300A |
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