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IPT007N06NATMA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 897 Stücke:
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20+9.04 EUR
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
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19+9.06 EUR
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon_ipt007n06n_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 18878 Stücke:
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10+6.68 EUR
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500+5.74 EUR
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118 Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
auf Bestellung 75171 Stücke:
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2+12.7 EUR
10+8.54 EUR
50+6.77 EUR
100+6.2 EUR
500+5.84 EUR
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.92 EUR
50+7.89 EUR
100+6.66 EUR
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.92 EUR
50+7.89 EUR
100+6.66 EUR
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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2000+4.55 EUR
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IPT007N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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2000+4.55 EUR
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IPT007N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
auf Bestellung 74000 Stücke:
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2000+4.77 EUR
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IPT007N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 897 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IPT007N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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19+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPT007N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 18878 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+11.71 EUR
10+6.68 EUR
100+6.12 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.43 EUR
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IPT007N06NATMA1 IPT007N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e4618320118
IPT007N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V
auf Bestellung 75171 Stücke:
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2+12.7 EUR
10+8.54 EUR
50+6.77 EUR
100+6.2 EUR
500+5.84 EUR
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IPT007N06NATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 2605 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
17+14.92 EUR
50+7.89 EUR
100+6.66 EUR
500+6.15 EUR
1000+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPT007N06NATMA1 INFN-S-A0009369325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT007N06NATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 2605 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
17+14.92 EUR
50+7.89 EUR
100+6.66 EUR
500+6.15 EUR
1000+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
IPT007N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPT007N06NATMA1 infineon-ipt007n06n-datasheet-v02_03-en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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