IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPT007N06NATMA1 nach Preis ab 3.73 EUR bis 9.73 EUR
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IPT007N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT007N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
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IPT007N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT007N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT007N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT007N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V |
auf Bestellung 13453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT007N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
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IPT007N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT007N06NATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT007N06NATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPT007N06NATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm |
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IPT007N06NATMA1 Produktcode: 180783
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IPT007N06NATMA1 SMD N channel transistors |
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