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IPT008N06NM5LFATMA1

IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies

infineonipt008n06nm5lfdatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Technische Details IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 454A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 278W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 278W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm.

Weitere Produktangebote IPT008N06NM5LFATMA1 nach Preis ab 3.86 EUR bis 14.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT008N06NM5LFATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies infineonipt008n06nm5lfdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT008N06NM5LFATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies infineonipt008n06nm5lfdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT008N06NM5LFATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies infineonipt008n06nm5lfdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 48A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT008N06NM5LFATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT008N06NM5LF-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
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IPT008N06NM5LFATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT008N06NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0bc6601b5 Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
auf Bestellung 527 Stücke:
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2+12.44 EUR
10+8.35 EUR
50+6.6 EUR
100+6.03 EUR
500+5.64 EUR
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IPT008N06NM5LFATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1 INFINEON 3624252.pdf Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
auf Bestellung 3443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.79 EUR
24+9.79 EUR
100+7.01 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPT008N06NM5LFATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1 INFINEON 3624252.pdf Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 454A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
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Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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50+6.02 EUR
100+5.27 EUR
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2000+4.15 EUR
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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16+11.36 EUR
22+7.71 EUR
50+6 EUR
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10+8.21 EUR
100+5.95 EUR
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IPT008N06NM5LFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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100+6.03 EUR
500+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPT008N06NM5LFATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
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17+14.79 EUR
24+9.79 EUR
100+7.01 EUR
500+6.91 EUR
1000+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 670 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
auf Bestellung 3443 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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