IPT009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

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Technische Details IPT009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

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	IPT009N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH 40<-<100V	auf Bestellung 1954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 1+ 10 EUR 10+ 6.93 EUR 100+ 5.16 EUR 500+ 4.68 EUR 2000+ 4.59 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	IPT009N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH