IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00096 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 425A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPT010N08NM5ATMA1 nach Preis ab 6.25 EUR bis 13.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V |
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IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
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IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00096 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 425A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005560711 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V |
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