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IPT013N08NM5LFATMA1

IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT013N08NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0a29d018f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Technische Details IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 333A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 278W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 278W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.

Weitere Produktangebote IPT013N08NM5LFATMA1 nach Preis ab 6.15 EUR bis 18.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies infineonirfe110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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100+8.85 EUR
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IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies infineonirfe110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies infineonirfe110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3622 Stücke:
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IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies infineonirfe110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies infineonirfe110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 INFINEON 3624253.pdf Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
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17+14.07 EUR
19+11.3 EUR
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IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 INFINEON 3624253.pdf Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
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IPT013N08NM5LFATMA1 IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT013N08NM5LF_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
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Trans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Trans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3622 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1958 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 80V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+15.17 EUR
17+9.92 EUR
100+6.99 EUR
500+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPT013N08NM5LFATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.06 EUR
17+14.07 EUR
19+11.3 EUR
50+9.98 EUR
100+8.76 EUR
250+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IPT013N08NM5LFATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT013N08NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 333 A, 1000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 333A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.06 EUR
17+14.07 EUR
19+11.3 EUR
50+9.98 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 2382 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+17.78 EUR
10+12.17 EUR
100+9.13 EUR
1000+8.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPT013N08NM5LFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.08 EUR
10+12.38 EUR
50+9.95 EUR
100+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH