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| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 7.96 EUR |
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Technische Details IPT014N10N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 362A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPT014N10N5ATMA1 nach Preis ab 5.13 EUR bis 11.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IPT014N10N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
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IPT014N10N5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 362A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPT014N10N5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT014N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 362 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 362A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT014N10N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 36A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPT014N10N5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |