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IPT015N10NF2SATMA1

IPT015N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipt015n10nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Technische Details IPT015N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 315A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT015N10NF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipt015n10nf2sdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
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IPT015N10NF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1 INFINEON 3812019.pdf Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1058 Stücke:
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100+5.01 EUR
500+4.28 EUR
1000+4.01 EUR
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50+4.05 EUR
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41+4.14 EUR
50+3.95 EUR
100+3.03 EUR
500+2.64 EUR
1800+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
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100+5.01 EUR
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IPT015N10NF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT015N10NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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1+10.6 EUR
10+5.55 EUR
100+5.07 EUR
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IPT015N10NF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt015n10nf2s-datasheet-en.pdf Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 6561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.77 EUR
10+7.18 EUR
50+5.64 EUR
100+5.14 EUR
500+4.65 EUR
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16+10.89 EUR
24+7 EUR
50+5.3 EUR
100+4.64 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
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auf Bestellung 1800 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 5400 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
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42+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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auf Bestellung 576 Stücke:
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auf Bestellung 837 Stücke:
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145+4.52 EUR
500+4.22 EUR
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IPT015N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.01 EUR
500+4.28 EUR
1000+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPT015N10NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 264600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1800+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT015N10NF2SATMA1 infineonipt015n10nf2sdatasheetv0201en.pdf
IPT015N10NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.4 EUR
42+4.18 EUR
50+4.05 EUR
100+3.17 EUR
500+2.82 EUR
1800+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IPT015N10NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.47 EUR
41+4.14 EUR
50+3.95 EUR
100+3.03 EUR
500+2.64 EUR
1800+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+7.31 EUR
35+5.01 EUR
50+4.86 EUR
100+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IPT015N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.79 EUR
50+6.03 EUR
100+5.01 EUR
500+4.28 EUR
1000+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 4159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.6 EUR
10+5.55 EUR
100+5.07 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.32 EUR
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IPT015N10NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 6561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.77 EUR
10+7.18 EUR
50+5.64 EUR
100+5.14 EUR
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+10.89 EUR
24+7 EUR
50+5.3 EUR
100+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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