Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT017N10NF2SATMA1
IPT017N10NF2SATMA1

IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef8585e621b3
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1800+3.28 EUR
3600+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 294A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.

Weitere Produktangebote IPT017N10NF2SATMA1 nach Preis ab 3 EUR bis 10.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 INFINEON 3812020.pdf Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
500+3.24 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef8585e621b3 Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.53 EUR
10+6.32 EUR
100+4.5 EUR
500+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 INFINEON 3812020.pdf Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.54 EUR
40+5.82 EUR
100+3.8 EUR
500+3.24 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1 IPT017N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.22 EUR
10+6.7 EUR
100+5.01 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.89 EUR
1800+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1 3812020.pdf
IPT017N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.8 EUR
500+3.24 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1 Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183ef8585e621b3
IPT017N10NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.53 EUR
10+6.32 EUR
100+4.5 EUR
500+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1 3812020.pdf
IPT017N10NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.54 EUR
40+5.82 EUR
100+3.8 EUR
500+3.24 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT017N10NF2SATMA1 Infineon-IPT017N10NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPT017N10NF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.22 EUR
10+6.7 EUR
100+5.01 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.89 EUR
1800+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH