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IPT017N12NM6ATMA1

IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT017N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a93a6538c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
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Technische Details IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 331A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 395W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt017n12nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt017n12nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt017n12nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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18+10.14 EUR
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IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt017n12nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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25+6.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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17+10.64 EUR
25+6.65 EUR
100+6.14 EUR
250+5.65 EUR
500+5.18 EUR
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1+14.96 EUR
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100+8.52 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
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IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 INFINEON 4098635.pdf Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 1654 Stücke:
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19+12.58 EUR
100+9.42 EUR
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IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 INFINEON 4098635.pdf Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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25+6.9 EUR
100+6.49 EUR
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25+6.65 EUR
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1000+7.16 EUR
2000+6.7 EUR
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IPT017N12NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
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auf Bestellung 5509 Stücke:
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100+8.14 EUR
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IPT017N12NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.27 EUR
19+12.58 EUR
100+9.42 EUR
500+8.35 EUR
1000+7.9 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPT017N12NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 1654 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
13+19.27 EUR
19+12.58 EUR
100+9.42 EUR
500+8.35 EUR
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