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IPT019N08N5ATMA1

IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT019N08N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac0292ba732e4
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 247A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 231W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 231W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT019N08N5ATMA1 IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt019n08n5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
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IPT019N08N5ATMA1 IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt019n08n5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
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IPT019N08N5ATMA1 IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt019n08n5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
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IPT019N08N5ATMA1 IPT019N08N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT019N08N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac0292ba732e4 Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 231W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.74 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.86 EUR
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IPT019N08N5ATMA1 IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt019n08n5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
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34+4.99 EUR
50+4.63 EUR
100+3.59 EUR
250+3.51 EUR
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32+5.25 EUR
33+4.96 EUR
50+4.53 EUR
100+3.44 EUR
250+3.26 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
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Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
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IPT019N08N5ATMA1 IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT019N08N5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 1229 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 9-Pin HSOF EP T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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AnzahlPrivatkunde
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100+3.44 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs IFX FET > 60-80V
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Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 1600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
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