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IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies


2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Technische Details IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
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IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
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50+5.8 EUR
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28+6 EUR
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IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 2484 Stücke:
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22+11.42 EUR
29+8.16 EUR
100+5.83 EUR
500+5.08 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT020N10N3_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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1+12.44 EUR
10+8.32 EUR
100+6.68 EUR
500+5.95 EUR
1000+5.28 EUR
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IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
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2+13.34 EUR
10+8.96 EUR
50+7.08 EUR
100+6.49 EUR
500+5.74 EUR
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IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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48+3.65 EUR
49+3.46 EUR
50+3.28 EUR
100+3.11 EUR
250+2.94 EUR
500+2.76 EUR
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IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+3.65 EUR
49+3.55 EUR
50+3.42 EUR
100+3.28 EUR
250+3.18 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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500+5.21 EUR
1000+4.82 EUR
10000+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 21550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+5.59 EUR
500+5.21 EUR
1000+4.82 EUR
10000+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1 INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 2484 Stücke:
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500+5.08 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+5.85 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+8.95 EUR
29+6.01 EUR
50+5.82 EUR
100+4.68 EUR
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IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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19+9.26 EUR
29+6.05 EUR
50+5.85 EUR
100+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.26 EUR
28+6.08 EUR
50+5.8 EUR
100+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.39 EUR
28+6 EUR
50+5.72 EUR
100+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1 INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 2484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.42 EUR
29+8.16 EUR
100+5.83 EUR
500+5.08 EUR
1000+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1 Infineon_IPT020N10N3_DS_v02_00_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.44 EUR
10+8.32 EUR
100+6.68 EUR
500+5.95 EUR
1000+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
auf Bestellung 7925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.34 EUR
10+8.96 EUR
50+7.08 EUR
100+6.49 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N3ATMA1 2254ipt020n10n3_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH