IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies
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| 2000+ | 1.85 EUR |
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Technische Details IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPT020N10N3ATMA1 nach Preis ab 1.92 EUR bis 7.76 EUR
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V |
auf Bestellung 9574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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