IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
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Technische Details IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPT020N10N3ATMA1 nach Preis ab 3.29 EUR bis 9.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPT020N10N3ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
auf Bestellung 952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT020N10N3ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT020N10N3ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPT020N10N3ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.27 EUR |
| 10+ | 5.26 EUR |
| 100+ | 3.94 EUR |
| 500+ | 3.5 EUR |
| 1000+ | 3.43 EUR |
| 2000+ | 3.29 EUR |
| IPT020N10N3ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 9.63 EUR |
| 10+ | 6.4 EUR |
| 100+ | 4.57 EUR |
| 500+ | 3.79 EUR |
| 1000+ | 3.54 EUR |
| IPT020N10N3ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)