Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT020N10N5ATMA1
IPT020N10N5ATMA1

IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 39 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 273W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 273W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Weitere Produktangebote IPT020N10N5ATMA1 nach Preis ab 3.96 EUR bis 13.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 57461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+4.99 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.31 EUR
10000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 7555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+4.99 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+4.99 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 77224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+4.99 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.31 EUR
10000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.15 EUR
500+5.22 EUR
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 1103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.09 EUR
10+6.71 EUR
50+5.26 EUR
100+4.8 EUR
500+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipt020n10n5_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 10935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.25 EUR
10+5.93 EUR
100+5.43 EUR
500+4.96 EUR
1000+4.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.79 EUR
50+7.33 EUR
100+6.15 EUR
500+5.22 EUR
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 57461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
134+4.99 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.31 EUR
10000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 7555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
134+4.99 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
134+4.99 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 77224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
134+4.99 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.31 EUR
10000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.15 EUR
500+5.22 EUR
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 1103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.09 EUR
10+6.71 EUR
50+5.26 EUR
100+4.8 EUR
500+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineon_ipt020n10n5_datasheet_en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 10935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.25 EUR
10+5.93 EUR
100+5.43 EUR
500+4.96 EUR
1000+4.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.79 EUR
50+7.33 EUR
100+6.15 EUR
500+5.22 EUR
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH