Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPT020N10N5ATMA1
IPT020N10N5ATMA1

IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 273W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 273W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Weitere Produktangebote IPT020N10N5ATMA1 nach Preis ab 2.55 EUR bis 14.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.44 EUR
41+4.18 EUR
100+3.25 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.77 EUR
2000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.62 EUR
42+4.09 EUR
100+3.81 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.7 EUR
41+4.07 EUR
100+3.71 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.78 EUR
35+4.96 EUR
100+4.47 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.08 EUR
33+5.02 EUR
100+4.46 EUR
500+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipt020n10n5_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 11100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.73 EUR
10+5.3 EUR
100+4.57 EUR
500+4.19 EUR
1000+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.09 EUR
10+6.71 EUR
50+5.26 EUR
100+4.8 EUR
500+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.47 EUR
50+8.82 EUR
100+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.44 EUR
41+4.18 EUR
100+3.25 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.77 EUR
2000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+5.62 EUR
42+4.09 EUR
100+3.81 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+5.7 EUR
41+4.07 EUR
100+3.71 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+8.78 EUR
35+4.96 EUR
100+4.47 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineonipt020n10n5datasheetv0201en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.08 EUR
33+5.02 EUR
100+4.46 EUR
500+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineon_ipt020n10n5_datasheet_en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 11100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.73 EUR
10+5.3 EUR
100+4.57 EUR
500+4.19 EUR
1000+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.09 EUR
10+6.71 EUR
50+5.26 EUR
100+4.8 EUR
500+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT020N10N5ATMA1 INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT020N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.47 EUR
50+8.82 EUR
100+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH