IPT026N12NM6ATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
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Verlustleistung: 283W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.9 EUR |
| 500+ | 4.39 EUR |
| 1000+ | 4.22 EUR |
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Technische Details IPT026N12NM6ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 224A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPT026N12NM6ATMA1 nach Preis ab 3.69 EUR bis 12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPT026N12NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 4708 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT026N12NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 224A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT026N12NM6ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 4708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.04 EUR |
| 10+ | 6.37 EUR |
| 100+ | 5.18 EUR |
| 500+ | 4.58 EUR |
| 1000+ | 4.46 EUR |
| 2000+ | 3.8 EUR |
| 4000+ | 3.69 EUR |
| IPT026N12NM6ATMA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 6 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12 EUR |
| 32+ | 7.43 EUR |
| 100+ | 4.9 EUR |
| 500+ | 4.39 EUR |
| 1000+ | 4.22 EUR |